| 发明名称 | 等离子体装置用部件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种等离子体装置用部件，其是由基材和形成于该基材上的最表面的氮化铝覆膜构成的、且具有通过冲击烧结法而形成的包含粒径为1μm以下的微小粒子的氮化铝覆膜的等离子体装置用部件，上述基材由金属或陶瓷构成，上述等离子体装置用部件的特征在于，上述氮化铝覆膜的厚度为10μm以上，膜密度为90％以上，氮化铝覆膜的单位面积20μm×20μm中存在的能够确认晶界的氮化铝粒子的面积率为0～90％，而不能确认晶界的氮化铝粒子的面积率为10～100％。根据上述构成，能够提供具有对等离子体攻击及自由基攻击具有强耐受性的氮化铝覆膜的等离子体装置用部件及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105793467A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201480064902.X | 申请日期 | 2014.11.26 |
| 申请人 | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 | 发明人 | 佐藤道雄;日野高志;中谷仁 |
| 分类号 | C23C24/04(2006.01)I;C04B41/87(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | C23C24/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 白丽 |
| 主权项 | 一种等离子体装置用部件，其是由基材和形成于该基材上的最表面的氮化铝覆膜构成的等离子体装置用部件，所述基材由金属或陶瓷构成，所述等离子体装置用部件的特征在于，所述氮化铝覆膜的厚度为10μm以上，膜密度为90％以上，氮化铝覆膜的单位面积20μm×20μm中存在的能够确认晶界的氮化铝粒子的面积率为0～90％，而不能确认晶界的氮化铝粒子的面积率为10～100％。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||