一种采用冶金法多晶硅掺镓制作高效多晶硅片的方法

摘要

本发明公开一种采用冶金法多晶硅掺镓制作高效多晶硅片的方法，包括如下步骤：(1)在坩埚内壁上涂敷氮化硅涂层；(2)在坩埚内装入冶金法多晶硅料、化学法多晶硅料和镓掺杂剂，形成混合物；(3)将装有混合物的坩埚放入铸锭炉中，抽真空，加热，使混合物按照从上到下的顺序逐渐熔化；(4)进入长晶阶段后，调节铸锭炉中控温热电偶的温度和侧部隔热笼向上移动的速率，使热量向下辐射，从而使熔硅形成竖直向上的温度梯度而自下向上生长；(5)退火、冷却，即可得到掺镓冶金法多晶硅锭。实验证明：本发明的多晶硅锭少子寿命较高，位错密度低，成本较低。

主权项

一种采用冶金法多晶硅掺镓制作高效多晶硅片的方法，其特征在于：包括有如下步骤：(1)在坩埚内壁上涂敷氮化硅涂层；(2)在坩埚内装入冶金法多晶硅料、化学法多晶硅料和镓掺杂剂，形成混合物；所述镓掺杂剂位于坩埚高度40%‑50% 的区域内；所述混合物中镓元素在硅中的含量6‑8ppmw；(3) 将装有混合物的坩埚放入铸锭炉中，抽真空，加热，使混合物按照从上到下的顺序逐渐熔化，待混合物完全熔化形成熔硅后立即进入长晶阶段；(4) 进入长晶阶段后，调节铸锭炉中控温热电偶的温度和侧部隔热笼向上移动的速率，使热量向下辐射，从而使熔硅形成竖直向上的温度梯度而自下向上生长；所述控温热电偶的温度调节范围为1400‑1435℃；所述隔热笼向上移动的速率为5‑7mm/h，且隔热笼的最高移动距离为多晶硅锭高度的75%‑85%；(5) 待熔硅结晶完毕后，退火、冷却，即可得到掺镓冶金法多晶硅锭。