低漏双向夹钳和形成其的方法

摘要

提供低漏双向夹钳和形成它们的方法。在某些配置中，双向夹钳包括第一p阱区、第二p阱区以及位于第一和第二p阱区之间的n阱区。双向夹钳还包括n阱区上的两个或多个氧化物区域，和一个或多个n型有源(N+)虚设阻断电流区域定位在所述氧化区之间。所述一个或多个N+虚设漏电流阻挡区域沿n阱区和氧化区之间的接口中断从所述第一P型阱区到第二p型阱区的电路径。因此，即使当由于扩展的高电压(例如，>60V)和/或高温操作(例如，>125℃)电荷累积在界面，N+虚设漏电流阻挡区域抑制电荷俘获引起的漏电流。

主权项

一种用于高电压接口的双向夹钳，所述双向夹钳包括：半导体衬底；在半导体衬底上的第一导电类型的第一阱区；在半导体衬底中的第一导电类型的第二阱区；在半导体衬底中与第一导电类型相反的第二导电类型的第三阱区，其中该第三阱区中的至少一部分位于第一阱区和第二阱区之间；在第三阱区上的多个氧化区，其中，所述多个氧化区和第三阱区在多个氧化物半导体界面相遇；和在第三阱区中第二导电类型的抗反转环结构，其中所述抗反转环结构被偏置成通过沿所述多个氧化物半导体界面中断从第一阱区到第二阱区的电路径，而抑制电荷捕获诱导的漏电流。