SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND PROGRAM

摘要

박막을 형성할 때에, 조성비 제어의 제어성이나 막 특성의 제어성을 높인다. 적어도 소정 원소, 붕소 및 질소를 포함하고, 보라진환 골격 비함유의 제1 막을 형성하는 공정과, 적어도 소정 원소 및 보라진환 골격을 포함하는 제2 막을 형성하는 공정을 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 기판 위에, 제1 막과 제2 막이 적층되어 이루어지는 적층막을 형성하는 공정을 갖는다.