| 发明名称 | 一种基于原子层沉积技术的氮化钽薄膜的制作工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种基于原子层沉积技术的氮化钽薄膜的制作工艺，包括步骤：步骤1），对基底表面进行NH<sub>3</sub>等离子体处理；步骤2），于所述基底表面形成金属钽前驱体；步骤3），对形成有金属钽前驱体的基底表面进行NH<sub>3</sub>等离子体处理形成氮化钽薄层；步骤4），对所述氮化钽薄层进行Ar等离子体处理；步骤5），以第一次数循环进行步骤1）~步骤4）；步骤6），将所述基底旋转预设角度；步骤7），以第二次数循环进行步骤1）~步骤4）。本发明通过增加NH<sub>3</sub>等离子体处理基底、Ar等离子体处理氮化钽薄层及将旋转基底的步骤，可以有效地减少氮化钽薄膜中的孔洞，获得性能良好的氮化钽薄膜。本发明工艺步骤简单，适用于工业生产。 | ||
| 申请公布号 | CN104109844B | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201310138674.3 | 申请日期 | 2013.04.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 一种基于原子层沉积技术的氮化钽薄膜的制作工艺，其特征在于，至少包括以下步骤：步骤1），对基底表面进行NH<sub>3</sub>等离子体处理；步骤2），于所述基底表面形成金属钽前驱体；步骤3），对形成有金属钽前驱体的基底表面进行NH<sub>3</sub>等离子体处理形成氮化钽薄层；步骤4），对所述氮化钽薄层进行Ar等离子体处理；步骤5），以第一次数循环进行步骤1）～步骤4）；步骤6），将所述基底旋转预设角度；步骤7），以第二次数循环进行步骤1）～步骤4），形成氮化钽薄膜。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||