发明名称 基于两端半导体功率开关的RSD触发电路
摘要 本发明公开了一种基于两端半导体功率开关的RSD触发电路,包括充电电路,放电主电路,RSD触发电路和控制电路。放电主电路串联RSD触发电路,充电电路并联于主电路、RSD触发电路两端;控制电路并联于充电电路和RSD触发电路两端;放电主电路包括依序串联的RSD开关、磁环L、主电容C0和负载Z0;RSD触发电路包括脉冲电源,磁开关L2,半导体开关K21,半导体开关K22,磁开关L21,磁开关L22和触发电容Cc。本发明同时具有直接预充和谐振预充的优势,增加了元件的参数匹配范围,简化了电路设计难度,可靠性高,减小了磁芯的总体积,提高了预充电荷的利用率。
申请公布号 CN105720951A 申请公布日期 2016.06.29
申请号 CN201610039758.5 申请日期 2016.01.21
申请人 湖北科技学院 发明人 彭亚斌;卢社阶;雷涛;刘纪磊
分类号 H03K3/57(2006.01)I 主分类号 H03K3/57(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种基于两端半导体功率开关的RSD触发电路,其特征在于:包括充电电路,放电主电路,RSD触发电路和控制电路;所述放电主电路串联RSD触发电路,所述充电电路并联于主电路、RSD触发电路两端;所述控制电路并联于充电电路和RSD触发电路两端;所述放电主电路包括依序串联的RSD开关、磁环L、主电容C0和负载Z0;所述RSD触发电路包括脉冲电源,磁开关L2,半导体开关K21,半导体开关K22,磁开关L21,磁开关L22和触发电容Cc;所述脉冲电源、半导体开关K21、RSD开关、半导体开关K22、触发电容Cc依序串联、构成RSD触发电流回路;所述磁开关L21并联于RSD开关与半导体开关K22两端;所述磁开关L22并联于半导体开关K22与触发电容Cc的两端;所述磁开关L2并联于半导体开关K21、磁开关L21与触发电容Cc的两端。
地址 437100 湖北省咸宁市咸宁大道88号