发明名称 |
形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法及CIGS太阳能电池 |
摘要 |
本发明涉及一种用于形成CIGS光吸收层的方法,其可以在衬底的Na浓度低,由此CIGS光吸收层的耗尽层厚的情况下,提高太阳能电池的效率。本发明的方法通过三步真空共蒸发法形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层,并包括:同时真空蒸发In、Ga和Se的第一步骤;同时真空蒸发Cu和Se的第二步骤;和真空蒸发In、Ga和Se的第三步骤。在第一步骤中蒸发并供应的Ga的量大于在第三步骤中蒸发并供应的Ga的量。根据本发明的另一方面的CIGS太阳能电池包括:衬底;在衬底上形成的电极层;和在电极层上形成的CIGS光吸收层。在电极层和CIGS光吸收层的界面处的Ga/(In+Ga)的比率为0.45或更高。本发明的方法配置为使得在通过三步真空共蒸发法形成CIGS光吸收层的方法中,提高第一步骤中Ga的蒸发量,使得能够在Na浓度低的衬底上形成CIGS光吸收层,从而提高深度深的耗尽层的CIGS太阳能电池的效率。 |
申请公布号 |
CN104011879B |
申请公布日期 |
2016.06.22 |
申请号 |
CN201380004295.3 |
申请日期 |
2013.07.10 |
申请人 |
韩国ENERGY技术硏究院 |
发明人 |
尹载浩;郭智惠;安世镇;尹庆勋;申基植;安承奎;赵阿拉;朴相炫;朴海森;崔森武 |
分类号 |
H01L31/0749(2012.01)I;H01L31/042(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0749(2012.01)I |
代理机构 |
北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 |
代理人 |
袁波;刘继富 |
主权项 |
一种利用三步共蒸发法形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法,所述方法包括如下步骤:共蒸发In、Ga和Se以使其沉积的第一步骤;共蒸发Cu和Se以使其沉积的第二步骤;和共蒸发In、Ga和Se以使其沉积的第三步骤;其中,在所述第一步骤中通过蒸发供应的Ga的量大于在所述第三步骤中通过蒸发供应的Ga的量,并且其中,在所述CIGS光吸收层中形成的耗尽层区域的深度为400nm或更大。 |
地址 |
韩国大田市 |