半导体装置

摘要

本发明提供一种在绝缘栅双极性晶体管与二极管区域被形成在同一半导体基板上的半导体装置中进一步减少损耗的技术。该半导体装置具备半导体基板，该半导体基板形成有至少一个绝缘栅双极性晶体管区域和至少一个二极管区域。在对半导体基板进行俯视观察时，绝缘栅双极性晶体管区域与二极管区域在预定的方向上相互邻接。在对半导体基板进行俯视观察时，集电区与阴极区邻接的第一边界面相对于在半导体基板的表面侧绝缘栅双极性晶体管区域与二极管区域邻接的第二边界面，向从阴极区朝向集电区的方向或从集电区朝向阴极区的方向中的任意一个方向偏移。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，其形成有至少一个绝缘栅双极性晶体管区域和至少一个二极管区域，所述绝缘栅双极性晶体管区域具备：发射区，其为第一导电型，并被配置在面对所述半导体基板的表面的范围内；基区，其为第二导电型，并包围所述发射区且与所述发射区相接；第一漂移区，其为第一导电型，并相对于所述基区而位于所述半导体基板的背面侧，并且通过所述基区而与所述发射区分离；栅电极，其被配置在贯穿所述基区并延伸至所述第一漂移区的沟槽内，并且与将所述发射区和所述第一漂移区分离的范围内的所述基区对置；绝缘体，其被配置在所述栅电极与所述沟槽的内壁之间；集电区，其为第二导电型，并被配置在面对所述半导体基板的背面的范围内，所述二极管区域具备：阳极区，其为第二导电型，并被配置在面对所述半导体基板的表面的范围内；第二漂移区，其为第一导电型，并相对于所述阳极区而位于所述半导体基板的背面侧；阴极区，其为第一导电型，并被配置在面对所述半导体基板的背面的范围内，在对所述半导体基板进行俯视观察时，所述绝缘栅双极性晶体管区域与所述二极管区域相互邻接，在对所述半导体基板进行俯视观察时，所述集电区与所述阴极区邻接的第一边界面相对于在所述半导体基板的表面侧所述绝缘栅双极性晶体管区域与所述二极管区域邻接的第二边界面，向从所述阴极区朝向所述集电区的方向或从所述集电区朝向所述阴极区的方向中的任意一个方向偏移。