| 发明名称 | 多级时延电路 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种多级时延电路，其特征在于：至少包括由PMOS管Q1和NMOS管Q2组成的第一级电路，由PMOS管Q3和NMOS管Q4组成的第二级电路，所述PMOS管Q1和NMOS管Q2、PMOS管Q3和NMOS管Q4分别串联接于电源端与地端之间，各级电路的输出端设有滤波电容。本发明电路体积小巧、耐压性能优秀，每增加一级电路性能得到较为明显的提升，而且MOS管元件的电气性能稳定，寿命长，十分适合在中大规模芯片集成电路中使用。 | ||
| 申请公布号 | CN105703744A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201610029621.1 | 申请日期 | 2016.01.15 |
| 申请人 | 中山芯达电子科技有限公司 | 发明人 | 方镜清 |
| 分类号 | H03K5/134(2014.01)I | 主分类号 | H03K5/134(2014.01)I |
| 代理机构 | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 | 代理人 | 邹常友 |
| 主权项 | 一种多级时延电路，其特征在于：至少包括由PMOS管Q1和NMOS管Q2组成的第一级电路，由PMOS管Q3和NMOS管Q4组成的第二级电路，所述PMOS管Q1和NMOS管Q2、PMOS管Q3和NMOS管Q4分别串联接于电源端与地端之间，各级电路的输出端设有滤波电容。 | ||
| 地址 | 528400 广东省中山市火炬开发区会展东路16号数码大厦1410号房 | ||