用于蚀刻与蚀刻掩模纵向间隔开的材料的方法

摘要

微加工过程在晶片上形成多个层。该多个层包括支承层和给定层两者。过程还至少部分在支承层上形成掩模，其具有掩模孔。在该配置中，支承层安置在掩模孔与给定层之间，并且使掩模孔与给定层纵向间隔开。过程还通过掩模孔将特征蚀刻到给定层内。

主权项

一种微加工方法，包括：在晶片上形成多个层，所述多个层包括支承层和给定层；至少部分在所述支承层上形成掩模，所述掩模具有掩模孔，所述支承层在所述掩模孔与所述给定层之间，所述支承层使所述掩模孔与所述给定层纵向间隔开；引导第一蚀刻剂来形成空隙，所述第一蚀刻剂被引导通过所述掩模孔以便从所述支承层去除材料，所述材料位于所述掩模和所述给定层之间；引导第二蚀刻剂通过所述掩模孔和所述空隙以便将特征蚀刻到在所述支承层和所述给定层之间形成层孔的层内；引导所述第一蚀刻剂通过所述掩模孔、所述空隙和所述层孔以便蚀刻所述给定层。