发明名称 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
摘要 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。该制备方法包括:在基底上形成第一绝缘层;在第一绝缘层上的第一区域和第二区域形成光刻胶;蚀刻掉第一区域和第二区域之间的第一绝缘层;在第一绝缘层上和第一区域与第二区域之间基底上形成金属层;在金属层上形成第二绝缘层;在第一区域与第二区域之间的第二绝缘层之上形成半导体层,半导体层与第一绝缘层上的金属层相接触。该阵列基板与显示装置采用上述制备方法制备的薄膜晶体管制成。本发明仅需在蚀刻掉第一区域和第二区域之间的第一绝缘层进行一次掩膜工艺,减少薄膜晶体管的制作流程中掩膜工艺使用次数,简化了工艺流程、降低了制造难度。
申请公布号 CN105679675A 申请公布日期 2016.06.15
申请号 CN201610048623.5 申请日期 2016.01.25
申请人 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 发明人 丁远奎;程磊磊;黄勇潮
分类号 H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I 主分类号 H01L21/336(2006.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人 李相雨
主权项 一种薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括:在基底上形成第一绝缘层;在所述第一绝缘层上的第一区域和第二区域形成光刻胶;蚀刻掉所述第一区域和所述第二区域之间的第一绝缘层;在所述第一绝缘层上和所述第一区域与所述第二区域之间的基底上形成金属层;在所述金属层上形成第二绝缘层;在所述第一区域与所述第二区域之间的第二绝缘层之上形成半导体层,半导体层与所述第一绝缘层上的金属层相接触。
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
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