| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung ist eine Silizium-Einkristall-Ziehvorrichtung auf der Basis des Czochralski-Verfahrens, umfassend einen Tiegel zum Aufnehmen eines Rohmaterials, eine Heizeinrichtung zum Erhitzen des Rohmaterials zu einer Rohmaterialschmelze, eine Hauptkammer, die den Tiegel und die Heizeinrichtung aufnimmt, eine zwischen der Heizeinrichtung und der Hauptkammer angeordnete Abschirmung zum Abschirmen einer Strahlungswärme von der Heizeinrichtung und ein Abstützteil, das die Heizeinrichtung und die Abschirmung von unten hält, wobei das Abstützteil vertikal beweglich ist, wodurch sich die Heizeinrichtung und die Abschirmung zusammen vertikal bewegen können. Im Ergebnis wird eine Silizium-Einkristall-Ziehvorrichtung bereitgestellt, die die Anpassung der thermischen Vorgeschichte, die Verbesserung der Ziehgeschwindigkeit eines Silizium-Einkristalls und die Reduzierung des Sauerstoffgehalts erleichtert. |
