氮化镓基异质结气敏传感器的制作方法

摘要

本发明涉及材料结构设计和晶体外延生长领域，特别是一种氮化镓基异质结气敏传感器的制作方法，其特征在于：(1)在衬底上生长低温氮化镓成核层；(2)然后再生长非有意掺杂氮化镓高阻层；(3)然后在700℃～850℃的温度范围内生长一层铟镓氮插入层；(4)再生长很薄的低温氮化镓隔离层；(5)在低温氮化镓隔离层之上，生长非有意掺杂高迁移率氮化镓层；(6)在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上，生长氮化铝插入层；(7)在氮化铝插入层上生长三层铝组分阶变的铝镓氮势垒层；(8)在1000℃～1100℃范围内生长非有意掺杂的氮化镓帽层。(9)在非有意掺杂的氮化镓帽层上淀积具有气敏传感特性的肖特基电极。

主权项

一种氮化镓基异质结气敏传感器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选择一衬底10；采用金属有机物化学气相淀积法，在衬底10上生长一层低温氮化镓成核层20；(2)提高衬底温度，在低温氮化镓成核层20上生长非有意掺杂氮化镓高阻层30；(3)改变生长室压力和降低温度，在非有意掺杂氮化镓高阻层30上生长一层铟镓氮插入层40；(4)不改变生长温度，在铟镓氮插入层40之上生长很薄的低温氮化镓隔离层50，用来防止铟的分凝扩散；(5)改变生长室压力和提高温度，在低温氮化镓隔离层50之上，生长非有意掺杂高迁移率氮化镓层60；(6)在非有意掺杂高迁移率氮化镓层60上，生长很薄的氮化铝插入层70；(7)在氮化铝插入层70上生长3层非有意掺杂的铝组分阶变的铝镓氮势垒层，分别为势垒层80、势垒层90势垒层100；(8)生长非有意掺杂的氮化镓帽层110；(9)使用磁控溅射技术或电子束蒸发技术，在氮化镓帽层上淀积具有气敏传感特性的肖特基电极120。