发明名称 |
刻蚀机台的结构及刻蚀方法 |
摘要 |
本发明公开了一种刻蚀机台的结构,在刻蚀机台原有腔体结构基础上再增加至少一个对准腔。本发明还公开了基于上述改装后的刻蚀机台的刻蚀方法,该方法首先让硅片通过刻蚀机台原有的对准腔进行对准,然后在主刻蚀腔中进行刻蚀工艺;刻蚀完成后,再让硅片进入新增加的对准腔进行对准,然后再次进入主刻蚀腔刻蚀,并视新增加的对准腔的个数,重复对准、刻蚀步骤。本发明通过在刻蚀机台增加对准腔,并根据刻蚀速率分布情况适当修改刻蚀作业的顺序,将原来的一步刻蚀分为多步刻蚀进行,如此使不均匀的刻蚀量形成了互补,从而有效地提高了刻蚀工艺的面内均一性。 |
申请公布号 |
CN103794456B |
申请公布日期 |
2016.06.08 |
申请号 |
CN201210419238.9 |
申请日期 |
2012.10.29 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
王骏杰;汤明浩;陈伏宏 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
刘昌荣 |
主权项 |
一种刻蚀方法,其特征在于,包括以下步骤:1)硅片首先通过刻蚀机台原有的对准腔进行对准,然后在主刻蚀腔中进行刻蚀工艺;2)步骤1)的刻蚀完成后,硅片进入新增加的对准腔进行对准,然后再进入主刻蚀腔再次进行刻蚀工艺;3)根据新增加的对准腔的个数,重复进行步骤2)。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |