发明名称 |
一种MEMS释放辅助结构及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种MEMS释放辅助结构及其制备方法,该结构包括底层,以及依次设置在底层上的第二牺牲层和第二结构层,底层靠近第二牺牲层的一侧设有若干凹槽,第二牺牲层延伸到凹槽中、并在各对应凹槽中分别形成空腔,且空腔中气压小于腐蚀环境中气压,第二结构层上设有连通外界和第二牺牲层的若干种腐蚀剂入口,且至少一种腐蚀剂入口为结构层通孔或释放辅助孔,底层为衬底或者在衬底上依次形成第一牺牲层和第一结构层而成。本发明的MEMS释放辅助结构,使得腐蚀剂通过空腔向四周腐蚀第二牺牲层材料,有效缩短释放长度,减少腐蚀时间。 |
申请公布号 |
CN105621342A |
申请公布日期 |
2016.06.01 |
申请号 |
CN201511016681.1 |
申请日期 |
2015.12.29 |
申请人 |
苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
发明人 |
赵成龙;张华 |
分类号 |
B81B1/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81B1/00(2006.01)I |
代理机构 |
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 |
代理人 |
李阳 |
主权项 |
一种MEMS释放辅助结构,其特征在于:包括底层,以及依次设置在所述底层上的第二牺牲层和第二结构层,所述底层靠近第二牺牲层的一侧设有若干凹槽,所述第二牺牲层延伸到所述凹槽中、并在各对应凹槽中分别形成空腔,且所述空腔中气压小于腐蚀环境中气压,所述第二结构层上设有连通外界和所述第二牺牲层的若干种腐蚀剂入口,至少一种所述腐蚀剂入口为结构层通孔或释放辅助孔,所述底层为衬底或者在所述衬底上依次形成第一牺牲层和第一结构层而成。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区19幢 |