| 发明名称 | 集成电路制造方法 | ||
| 摘要 | 一种集成电路制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在半导体衬底上形成氧化层；在第二区域上覆盖光刻胶；以光刻胶为掩膜去除第一区域的氧化层；去除第二区域的光刻胶；分别在第一区域形成第一集成电路、在第二区域的氧化层上形成电阻和电容。还提供了另外两种集成电路制造方法。本发明工艺简单，成本低，且更方便将第二区域的电阻和电容与第一区域集成电路相集成，同时不改变第一区域集成电路原有的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN105633018A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201410610499.8 | 申请日期 | 2014.11.03 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 发明人 | 张森 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 邓云鹏 |
| 主权项 | 一种集成电路制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在半导体衬底上形成氧化层；在第二区域上覆盖光刻胶；以光刻胶为掩膜去除第一区域的氧化层；去除第二区域的光刻胶；分别在第一区域形成第一集成电路、在第二区域的氧化层上形成电阻和电容。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||