发明名称 |
晶体管及其制造方法和降低RTS噪声的图像传感器电路 |
摘要 |
本发明涉及晶体管及其制造方法,以及降低随机电报信号(RTS)噪声的图像传感器电路。在一个实施例中,一种晶体管包括:设置工件中两个隔离区域之间的沟道。该沟道具有邻近隔离区域的边缘区域和在隔离区域之间的中心区域。该晶体管包括设置在沟道上方的栅极电介质,以及设置在该栅极电介质上方的栅极。该晶体管包括邻近所述边缘区域的电压阈值更改部件,该电压阈值更改部件被配置为使得沟道的邻近边缘区域的电压阈值大于沟道的中心区域的晶体管的电压阈值。本发明还提供了一种晶体管及其制造方法和降低RTS噪声的图像传感器电路。 |
申请公布号 |
CN103035715B |
申请公布日期 |
2016.06.01 |
申请号 |
CN201210210269.3 |
申请日期 |
2012.06.19 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
洪丰基;施俊吉;伍寿国 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种晶体管,包括:沟道,直接设置在工件中的两个隔离区域之间,所述沟道包括邻近所述隔离区域的边缘区域和位于所述边缘区域之间的中心区域;栅极电介质,设置在所述沟道上方;栅极,设置在所述栅极电介质上方;以及电压阈值更改部件,邻近所述边缘区域,被配置为使得所述沟道的邻近所述边缘区域的电压阈值大于所述沟道的所述中心区域的所述晶体管的电压阈值,所述电压阈值更改部件形成在所述栅极电介质中,并且其中,所述栅极电介质的邻近所述隔离区域的部分的厚度大于所述栅极电介质的中心区域的部分的厚度。 |
地址 |
中国台湾新竹 |