一种快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜的方法

摘要

本发明提供了一种快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜的方法，涉及大晶畴石墨烯薄膜的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用氧化物为衬底使金属箔片穿过氧化物衬底夹层，然后利用常压化学气相沉积法，通过两端的转动装置，快速连续获得大晶畴高质量石墨烯薄膜。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备的石墨烯薄膜晶畴尺寸小、电学性能低、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜样品。

主权项

一种快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜的方法，其特征在于，将金属箔片置于氧化物衬底的夹层中，并在金属箔片表面生长出高质量大晶畴石墨烯薄膜。