| 发明名称 | 打断共轭型聚合物半导体材料及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一类打断共轭型聚合物半导体材料及其制备方法和应用，该半导体材料的结构以环戊并二噻吩为骨架，具有选自通式(Ⅰ)、通式(Ⅱ)或通式(Ⅲ)的化学式的结构：<img file="DDA0000942298360000011.GIF" wi="1541" he="374" />制备方法：先通过环戊并二噻吩酮或者其衍生物与格氏试剂反应制备叔醇，然后在室温下，通过叔醇的傅克均聚反应，合成打断共轭型聚合物。本发明提供的聚合物材料有很宽的紫外吸收峰、窄的能带结构和电化学稳定性良好并可以捕获电子等性能特点，在有机电存储、太阳能电池和近红外探测领域具有很好的应用前景。且该材料的制备方法具有操作简单、反应条件温和、产率高等特点，易于工业应用。 | ||
| 申请公布号 | CN105622901A | 申请公布日期 | 2016.06.01 |
| 申请号 | CN201610151565.9 | 申请日期 | 2016.03.16 |
| 申请人 | 南京邮电大学 | 发明人 | 解令海;黄维;刘正东;胡辉;包岩;仪明东 |
| 分类号 | C08G61/12(2006.01)I;C07D519/00(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 李纪昌;曹翠珍 |
| 主权项 | 打断共轭型聚合物半导体材料，其特征在于，该半导体材料的结构以环戊并二噻吩为骨架，具有选自通式(Ⅰ)、通式(Ⅱ)或通式(Ⅲ)的化学式的结构：<img file="FDA0000942298330000011.GIF" wi="1532" he="374" />其中：所述R为氢、C<sub>1～12</sub>烷基或C<sub>1～12</sub>烷氧基；所述n代表聚合物的重复单元个数，为3～100的自然数；所述Ar、Ar<sub>1</sub>、Ar<sub>2</sub>相同或不同，各自独立地代表共轭芳环单元。 | ||
| 地址 | 210023 江苏省南京市栖霞区仙林大学城文苑路9号 | ||