半導体装置及びその製造方法

摘要

本発明の半導体装置は、平坦な基板面上に配置される第一の磁性層１と、第一の磁性層１の上方に配置され第一の磁性層１に静磁結合あるいは交換結合により磁気的に結合される第二の磁性層３とを備える。第一の磁性層１と第二の磁性層３との間には、第一の磁性層１と第二の磁性層３との磁気的な結合を阻害しない膜厚の第三の薄膜層８が形成されている。