发明名称 |
平板探测器及其制作方法、摄像装置 |
摘要 |
本发明公开了一种平板探测器及其制作方法以及设置有所述平板探测器的摄像装置,涉及摄像领域,可以在不影响像素开口率的情况下,增加存储电容,提高图像采集能力,从而有助于实现平板探测器的高分辨率。本发明所述平板探测器,包括:用于将X射线转换为电荷的转化层和设置在所述转化层之下的像素检测元件;像素检测元件包括:用于接收所述电荷的像素电极,存储接收电荷的存储电容,以及控制存储电荷输出的薄膜晶体管;存储电容包括:第一电极,包括:相对设置的上电极和下电极,且上电极与下电极电性连接;第二电极,夹设在所述上电极和下电极之间;上电极与第二电极之间,第二电极与下电极之间均设置有绝缘层或者起绝缘作用的间隔层。 |
申请公布号 |
CN103094295B |
申请公布日期 |
2016.05.25 |
申请号 |
CN201310024573.3 |
申请日期 |
2013.01.23 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
谢振宇 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种平板探测器,包括:基板;以及设置在所述基板上,用于将X射线转换为电荷的转化层和设置在所述转化层之下的像素检测元件;所述像素检测元件包括:用于接收所述电荷的像素电极,存储接收电荷的存储电容,以及控制存储电荷输出的薄膜晶体管;其特征在于,所述存储电容包括:第一电极,包括:相对设置的上电极和下电极,且所述上电极与所述下电极电性连接;第二电极,夹设在所述上电极和所述下电极之间;所述上电极与所述第二电极之间,及所述第二电极与所述下电极之间均设置有绝缘层。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 |