| 发明名称 | p-NiO/n-ZnO异质结发光器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种p-NiO/n-ZnO异质结发光器件及其制备方法。自下而上依次有衬底、Zn<sub>0.95</sub>Mn<sub>0.03</sub>Li<sub>0.02</sub>O缓冲层、n型ZnO层、电子阻挡层和p型NiO层。采用的衬底是r面蓝宝石或（100）面LaAlO<sub>3</sub>，Zn<sub>0.95</sub>Mn<sub>0.02</sub>Li<sub>0.02</sub>O缓冲层和n型ZnO层为非极性a面（110）取向，电子阻挡层是Ni<sub>1-x</sub>Mg<sub>x</sub>O或Zn<sub>1-x</sub>Mg<sub>x</sub>O、p型NiO层采用的是（111）取向的Li掺杂的Li<sub>y</sub>Ni<sub>1-y</sub>O层，其中x值为0.5<x<0.6，y值为0.05<y<0.10。本发明的优点是通过引入缓冲层，改善了a面ZnO层的晶体质量，克服了晶格极化效应，同时结合电子阻挡层，减少漏电流，提高器件的光电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103268911B | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201310139795.X | 申请日期 | 2013.04.22 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 吕斌;周婷婷;潘新花;叶志镇 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 张法高 |
| 主权项 | 一种p‑NiO/n‑ZnO异质结发光器件，其特征是：自下而上依次有r面蓝宝石或（100）面LaAlO<sub>3</sub>衬底、厚度为10~40 nm的Zn<sub>0.95</sub>Mn<sub>0.03</sub>Li<sub>0.02</sub>O缓冲层、(110) 取向的n型ZnO层、Ni<sub>1‑x</sub>Mg<sub>x</sub>O或Zn<sub>1‑x</sub>Mg<sub>x</sub>O电子阻挡层和p型NiO层。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||