| 发明名称 | 一种红外探测器材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种红外探测器材料及其制备方法，用以解决现有技术中降低锑化铟材料暗电流较为困难的问题。该方法包括：根据响应波长的范围，设定铟铝锑层中铝组分的参数、厚度、异质结的排布的参数；制作锑化铟衬底；根据设定的参数生长锑化铟缓冲层以及铟铝锑下接触层；根据设定的参数生长铟铝锑吸收层；生长铟铝锑层的势垒层；生长铟铝锑层的上接触层，该方案通过降低i层浓度进一步降低复合中心，降低暗电流，达到高温工作的要求。 | ||
| 申请公布号 | CN105590989A | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201511000953.9 | 申请日期 | 2015.12.28 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 发明人 | 刘铭;程鹏;周朋;尚林涛;邢伟荣 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人 | 田卫平 |
| 主权项 | 一种红外探测器材料的制备方法，其特征在于，包括：根据响应波长的范围，设定铟铝锑层中铝组分的参数、厚度、异质结的排布的参数；制作锑化铟衬底；根据设定的参数生长锑化铟缓冲层以及铟铝锑下接触层；根据所述设定的参数生长铟铝锑吸收层；生长铟铝锑层的势垒层；生长铟铝锑层的上接触层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号 | ||