发明名称 带有防阻塞功能的分子检测纳米孔器件及其制作方法
摘要 一种带有防阻塞功能的分子检测纳米孔器件及其制作方法,首先在硅衬底上形成测序用纳米孔阵,再在测序用纳米孔阵的上方形成氮化硅防阻塞孔阵。形成氮化硅防阻塞孔阵的方法包括以下步骤:在形成有测序用纳米孔阵的器件上方双面沉积牺牲层;刻蚀牺牲层形成下一步低应力氮化硅的附着区;在低应力氮化硅附着区上双面沉积LPCVD氮化硅层;刻蚀氮化硅层形成防阻塞孔;最后通过KOH或其他碱腐蚀去除体硅和牺牲层硅。本发明在测序用纳米孔阵的上方制作了防阻塞孔阵,因此在用于分子检测、基因测序时,可防止大于DNA直径的外来颗粒堵塞纳米孔阵,保证分子检测、基因测序的正常进行。由于本发明通过半导体集成方法制作,所以成本低、效果好。
申请公布号 CN103569945B 申请公布日期 2016.05.18
申请号 CN201210258806.1 申请日期 2012.07.24
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 董立军;赵超
分类号 B81C1/00(2006.01)I;B81B7/04(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 代理人 陈红
主权项 一种带有防阻塞功能的分子检测纳米孔器件的制作方法,所述器件用于DNA测序或者分子筛选测试,其特征是:所述制作方法首先在硅衬底上形成测序用纳米孔阵,然后在所述测序用纳米孔阵的上方,再通过以下方法形成防阻塞孔阵,用于防止外来颗粒阻塞所述测序用纳米孔阵:在形成有所述测序用纳米孔阵的器件表面双面沉积牺牲层;在所述器件的正面单面刻蚀所述牺牲层,形成下一步低应力氮化硅附着区;在所述器件上双面沉积LPCVD氮化硅层;单面刻蚀所述氮化硅层,形成防阻塞孔;最后通过碱腐蚀去除体硅和所述牺牲层,形成氮化硅防阻塞孔阵。
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