发明名称 发光元件
摘要 提供一种具有25%左右的极高的效率的发光元件。发光元件包括包含磷光客体、n型主体及p型主体的发光层,发光层夹在含n型主体的n型层与含p型主体的p型层之间,并且在发光层中n型主体和p型主体可以形成激基复合物。在实现1200cd/m<sup>2</sup>的亮度的低驱动电压(2.6V)下,发光元件显示极高的发光效率(74.3lm/W的功率效率,24.5%的外部量子效率,19.3%的能量效率)。
申请公布号 CN103518268B 申请公布日期 2016.05.18
申请号 CN201280015574.5 申请日期 2012.03.01
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 山崎舜平;濑尾哲史;下垣智子;大泽信晴;井上英子;门间裕史;尾坂晴惠
分类号 H01L51/50(2006.01)I 主分类号 H01L51/50(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 李英
主权项 一种发光元件,包括:第一电极;所述第一电极上的空穴注入层;所述空穴注入层上的第一层,该第一层包含其空穴传输性比其电子传输性高的第一有机化合物;所述第一层上的发光层,该发光层包含磷光化合物、所述第一有机化合物以及其电子传输性比其空穴传输性高的第二有机化合物;所述发光层上的第二层,该第二层包含所述第二有机化合物;所述第二层上的电子注入层;以及所述电子注入层上的第二电极,其中,选择所述第一有机化合物及所述第二有机化合物,以便在其间形成激基复合物,以及其中,所述磷光化合物为有机金属配合物,该有机金属配合物的源于三重态MLCT转移的吸收与所述激基复合物的发光重叠。
地址 日本神奈川