发明名称 |
一次性可编程存储器及其编程方法与读取方法 |
摘要 |
本发明提供一种一次性可编程存储器及其编程方法与读取方法,所述一次性可编程存储器至少包括:相变存储单元,用于存储需要写入的数据;写入单元,用于将需要写入的数据写入到相变存储单元中;读取单元,用于读取存储在相变存储单元中的数据;读参考单元,用于提供读取单元读取数据时的比较对象;偏置单元,用于在读取单元读取时向所述相变存储单元提供钳位电压。本发明具有以下有益效果:本发明能够通过利用简单的外围电路实现对相变存储单元的一次性非可逆操作,从而实现其一次性可编程性能,可以最大限度地降低存储器的占用面积,进而降低其使用成本。 |
申请公布号 |
CN103646668B |
申请公布日期 |
2016.05.18 |
申请号 |
CN201310729248.7 |
申请日期 |
2013.12.26 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
陈后鹏;李喜;宋志棠 |
分类号 |
G11C17/16(2006.01)I;G11C17/18(2006.01)I |
主分类号 |
G11C17/16(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种一次性可编程存储器,其特征在于,至少包括:相变存储单元,用于存储需要写入的数据;写入单元,用于将需要写入的数据写入到相变存储单元中;读取单元,用于读取存储在相变存储单元中的数据;读参考单元,用于提供读取单元读取数据时的比较对象;偏置单元,用于在读取单元读取时向所述相变存储单元提供钳位电压;其中,所述读取单元包括一个PMOS管、一个钳位NMOS管、一个读选通开关及一个三态反相器,其中,所述PMOS管的源端与所述钳位NMOS管的漏端、以及三态反相器的输入端连接,漏端连接电源,所述钳位NMOS管的源端通过所述读选通开关连接到所述相变存储单元,同时,所述读选通开关及所述三态反相器均由读使能信号控制导通或关断。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |