| 发明名称 |
利用湿式晶圆背侧接触进行铜电镀矽穿孔的方法 |
| 摘要 |
明提供一种处理基板之方法及设备。在一些实施例中，该方法包含：提供具有孔的矽基板，该孔在孔之底部处含有已曝露矽接触表面；在已曝露矽接触表面上沉积金属晶种层；以及藉由使电流流动穿过基板之背侧以在金属晶种层上形成金属层来将基板曝露于电镀制程中。
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| 申请公布号 |
TW201618228 |
申请公布日期 |
2016.05.16 |
| 申请号 |
TW103138924 |
申请日期 |
2014.11.10 |
| 申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
寇克罗门;维哈佛贝可史帝文 |
| 分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L21/288(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
| 主权项 |
一种在一基板上沉积一材料之方法，该方法包含以下步骤：提供具有一孔的一矽基板，该孔在该孔之一底部处含有一已曝露矽接触表面；在该孔之该底部处的该已曝露矽接触表面上沉积一金属晶种层；以及藉由使一电流流动穿过该基板之一背侧以在该金属晶种层上形成一金属层而将该基板曝露于一电镀制程中。
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| 地址 |
美国 |
