一种垂直LED芯片的制作方法以及垂直LED芯片

摘要

本发明公开了一种垂直LED芯片的制作方法以及垂直LED芯片，其操作步骤包括：a）、在衬底上制作由N-GaN层、发光层和P-GaN层组成的外延层；b）、对所述外延层进行光刻工艺处理，在外延层上形成1个或多个划片槽；c）、在所述外延层上依次制作接触层和高反射电极层；d）、向所述划片槽内填充绝缘材料；e）、将所述高反射电极层键合到导热基板上；f）、采用激光剥离技术将衬底去除；g）、在所述N-GaN层上制作N型电极，完成垂直LED芯片的制作，本发明避免由于在激光剥离过程产生反冲或能量过高产生应力，确保本发明垂直LED芯片的成品率以及亮度。

主权项

一种垂直LED芯片的制作方法，其特征在于，其操作步骤包括：a）、在衬底上制作由N‑GaN层、发光层和P‑GaN层组成的外延层；b）、对所述外延层进行光刻工艺处理，在外延层上形成1个或多个划片槽；c）、在所述外延层上依次制作接触层和高反射电极层；d）、向所述划片槽内填充绝缘材料；e）、将所述高反射电极层键合到导热基板上；f0）、对所述衬底背面进行抛光处理；f）、采用激光剥离技术将衬底去除，得到表面具有粗化图形结构的N‑GaN层；g）、通过光刻工艺在N‑GaN层上制作N型电极区域，在所述N‑GaN层上的N型电极区域制作N型电极，完成垂直LED芯片的制作。