一种高灵敏度霍尔元件及其制备方法

摘要

本发明所述的一种高灵敏度霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、GaAs功能层、欧姆接触层、金属电极和钝化层；GaAs功能层为掺杂浓度很低的N型掺杂；欧姆接触层为高掺杂浓度的N型掺杂AlGaAs或InGaAs等。所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：S1、在半绝缘GaAs衬底上依次外延生长GaAs功能层和欧姆接触层；S2、对欧姆接触层和GaAs功能层进行图案化，形成台面；S3、在欧姆接触层表面蒸镀金属电极；S4、选择性腐蚀去除GaAs功能层表面的欧姆接触层；S5、在霍尔元件表面制备一层钝化层。根据本发明制备的霍尔元件，GaAs功能层的掺杂浓度可以非常低，因此拥有非常高的电子迁移率，器件的灵敏度非常高，而传统的低掺杂GaAs不容易形成良好欧姆接触的问题，则由表面的欧姆接触层完美解决，从而能够得到高灵敏度的霍尔元件。

主权项

一种高灵敏度霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、GaAs功能层、欧姆接触层、金属电极和钝化层；金属电极直接和欧姆接触层接触，钝化层覆盖在整个器件表面。