| 发明名称 | 具有偏移部件的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，包括：在提供的衬底上形成多个线元件。所述多个线元件包括：第一线元件，具有第一宽度的第一区和第二宽度的偏移区。所述第二宽度不同于所述第一宽度。然后形成与多个线部件中的包括偏移区的每一个的侧壁邻接的间隔元件，在偏移区所述间隔元件可被移位。在形成所述间隔元件后，从所述衬底去除从衬底开始的所述多个线元件。在去除所述多个线元件后使用所述间隔元件蚀刻下面的层。本发明还公开了具有偏移部件的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103165415B | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201210213759.9 | 申请日期 | 2012.06.25 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 刘家助;梁铭彰;江木吉;陈桂顺 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多个线元件，其中，所述多个线元件中的每个线元件均是连续的，包括：第一线元件，具有第一宽度的第一区和第二宽度的偏移区，所述第二宽度不同于所述第一宽度，所述第一区与所述偏移区连接；形成与所述多个线元件中的每一个的侧壁邻接的，等宽度且部分偏移的间隔元件；在形成所述间隔元件后，从所述衬底去除所述多个线元件；在去除所述多个线元件后使用所述间隔元件蚀刻下面的层；形成等宽度且部分偏移的栅极结构。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||