具有用于修复缺陷单位单元的冗余电路的半导体存储装置

摘要

本发明涉及一种具有用于修复缺陷单位单元的冗余电路的半导体存储装置。该半导体存储装置包括：第一区块，其包括多个单元矩阵；第二区块，其包括多个单元矩阵；和共用的熔丝组件，其由第一和第二区块共用，被配置为在第一区块或第二区块被使能并且使能的区块中包括缺陷单元矩阵时输出缺陷指示信号。

主权项

一种半导体存储装置，包括：第一区块，其包括多个单元矩阵；第二区块，其包括多个单元矩阵；和共用的熔丝组件，其由所述第一区块和所述第二区块共用，被配置为从所述第一区块接收第一单元矩阵信号并且从所述第二区块接收第二单元矩阵信号，其中所述第一单元矩阵信号和所述第二单元矩阵信号分别指示从所述第一区块和所述第二区块选择的单元矩阵，响应于所述第一单元矩阵信号和所述第二单元矩阵信号产生修复检测信号，所述修复检测信号指示所选择的单元矩阵中的缺陷单元，以及基于所述修复检测信号，在所述第一区块或所述第二区块被使能并且在使能的区块中存在缺陷单元矩阵的情况下输出缺陷指示信号；其中所述共用的熔丝组件包括：第一缺陷指示信号输出单元，其被配置为在第一区块使能信号被激活时输出所述修复检测信号作为所述第一区块的第一缺陷指示信号；和第二缺陷指示信号输出单元，其被配置为在第二区块使能信号被激活时输出所述修复检测信号作为所述第二区块的第二缺陷指示信号，其中所述第一缺陷指示信号输出单元和所述第二缺陷指示信号输出单元中的每一个包括：第二锁存单元，其被配置为在所述第一区块使能信号被激活时锁存所述修复检测信号；和第三锁存单元，其被配置为在脉冲信号的所述第二区块使能信号被激活时锁存所述修复检测信号。