半导体装置及其制造方法

摘要

容揭露一种半导体装置的制造方法，包含形成闸极结构于基板之上，此闸极结构包含第一硬罩幕层。此方法还包含形成源极/汲极特征在邻近于闸极结构的基板之中；以及形成沿着闸极结构之侧壁的侧壁间隔物，此侧壁间隔物在其上部具有背离闸极结构的外边缘。此方法更包含形成沿着闸极结构之侧壁和侧壁间隔物之外边缘的第二间隔物；形成介电层于闸极结构之上；以及形成沟渠，此沟渠延伸穿越介电层以暴露源极/汲极特征，与此同时，闸极结构则由第一硬罩幕、侧壁间隔物及第二间隔物所保护。此方法另外包含形成接点于沟渠之中。

主权项

一种方法，包含：形成一闸极结构于一基板之上，其中该闸极结构包含一第一硬罩幕层；形成一源极/汲极(S/D)特征在邻近于该闸极结构的该基板之中；形成一沿着该闸极结构之侧壁的侧壁间隔物，其中该侧壁间隔物于其上部具有一背离该闸极结构之外边缘；形成一第一介电层于该闸极结构之上；形成一沿着该闸极结构之侧壁和该侧壁间隔物之该外边缘的第二间隔物；形成一第二介电层于该闸极结构之上；形成一延伸穿透该第一介电层与该第二介电层并暴露该源极/汲极(S/D)特征的沟渠，同时，该闸极结构由第一硬罩幕层、侧壁间隔物及第二间隔物所保护；以及形成一接点特征于该沟渠之中。