发明名称 单模光纤及其制造方法
摘要 本发明涉及单模光纤及其制造方法,该单模光纤从中心到外周依次包括纤芯、至少第一凹陷包层和第二凹陷包层以及外包层。所述纤芯的半径(R<sub>co</sub>)为3.5μm~5.5μm,并且所述纤芯相对于所述外包层的折射率差(Dn<sub>co</sub>-Dn<sub>out</sub>)为0~3×10<sup>-3</sup>;所述第一凹陷包层的半径(R<sub>cl1</sub>)为9μm~15μm,并且所述第一凹陷包层相对于所述外包层的折射率差(Dn<sub>cl1</sub>-Dn<sub>out</sub>)为-5.5×10<sup>-3</sup>~-2.5×10<sup>-3</sup>;所述第二凹陷包层的半径(R<sub>cl2</sub>)为38μm~42μm,并且所述第二凹陷包层相对于所述第一凹陷包层的折射率差(Dn<sub>cl2</sub>-Dn<sub>cl1</sub>)为-0.5×10<sup>-3</sup>~0.5×10<sup>-3</sup>;以及所述外包层的半径为61.5μm~63.5μm。可以以小成本来制造衰减降低的光纤。
申请公布号 CN102798927B 申请公布日期 2016.04.27
申请号 CN201210169771.4 申请日期 2012.05.28
申请人 德拉克通信科技公司 发明人 P·斯拉德;M·比戈-阿斯楚克
分类号 G02B6/036(2006.01)I;C03B37/027(2006.01)I 主分类号 G02B6/036(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇
主权项 一种单模光纤,其从中心到外周依次包括纤芯、至少第一凹陷包层和第二凹陷包层以及外包层,其中:所述纤芯的半径(R<sub>co</sub>)为3.5μm~5.5μm,并且所述纤芯相对于所述外包层的折射率差(Dn<sub>co</sub>‑Dn<sub>out</sub>)为0~3×10<sup>‑3</sup>;所述第一凹陷包层的半径(R<sub>cl1</sub>)为9μm~15μm,并且所述第一凹陷包层相对于所述外包层的折射率差(Dn<sub>cl1</sub>‑Dn<sub>out</sub>)为‑5.5×10<sup>‑3</sup>~‑2.5×10<sup>‑3</sup>;所述第二凹陷包层的半径(R<sub>cl2</sub>)为38μm~42μm,并且所述第二凹陷包层相对于所述第一凹陷包层的折射率差(Dn<sub>cl2</sub>‑Dn<sub>cl1</sub>)大于0小于等于0.5×10<sup>‑3</sup>;以及所述外包层的半径为61.5μm~63.5μm。
地址 荷兰阿姆斯特丹