以免光罩方式定义位元线沟槽之半导体基底及其制造方法

摘要

以免光罩方式定义位元线沟槽之半导体基底的制造方法，其特征在于，系先形成复数个绝缘结构于该半导体基材上，每一绝缘结构具有位于该半导体基材上的一突出部，且相邻的两突出部之间定义出一位元线区域，接着形成一牺牲层覆盖该些突出部及该些位元线区域，该牺牲层具有复数个开口，之后形成复数个遮蔽结构于该些开口内，最后以该些遮蔽结构为自对准罩幕，选择性地移除部分该牺牲层及该半导体基材，藉以于每一位元线区域内形成两位元线沟槽而可减少一次光罩的使用。本发明另提供一种以免光罩方式定义位元线沟槽之半导体基底。

主权项

一种以免光罩方式定义位元线沟槽之半导体基底的制造方法，包括以下步骤：提供一半导体基材，具有复数个深沟槽；形成复数个绝缘结构于该半导体基材上，每一绝缘结构具有一隔离部及一突出部，该些隔离部位于该些深沟槽内，该些突出部位于该些隔离部上且溢出部分覆盖该半导体基材，其中相邻的两突出部之间定义出一位元线区域；形成一牺牲层于该些突出部及该些位元线区域上，该牺牲层具有复数个开口；形成复数个遮蔽结构于该些开口内；以及以该些遮蔽结构为自对准罩幕，选择性地移除部分该牺牲层及该半导体基材，以于每一位元线区域内形成两位元线沟槽；其中，每一突出部具有一内端结构及至少一位于该内端结构一侧的外端结构，该些内端结构分别与该些隔离部相对应且可在该半导体基材上定义出复数个主动区域，该些外端结构可在该半导体基材上定义出复数个电容器预定成型区域，该些遮蔽结构可在该半导体基材上定义出复数个接触窗预定成型区域。