一种石墨加热炉内石墨热场表面制备SiC涂层的方法

摘要

本发明公开了一种石墨加热炉内石墨热场表面制备SiC涂层的方法，包括（1）将炉内气压抽至1～10^-2Pa，然后将石墨加热炉内温度提升至100～150℃；（2）维持炉内气压不变，将溶度为30-50%硅溶胶溶液从炉内顶部吸入真空炉内，溶液吸入的流量为100～1000ml/min，时间为1～5min；（3）在100-150℃保温1h后将石墨加热炉内温度提升至200-400℃，升温速率为3～6℃每分钟，保温1～2小时；（4）将石墨加热炉内温度升高至1450～1600℃，升温速率为4～8℃每分钟，保温2～6小时，停止保温，冷却后，加热炉内碳素材料表面具有碳化硅涂层。本发明工艺过程相对简单，易操作，重复性好，直接在碳素材料表面原位反应生成结合力强的涂层。

主权项

一种石墨加热炉内石墨热场表面制备SiC涂层的方法，其特征在于包括下述顺序的步骤：（1）密闭加热炉，将炉内气压抽至1～10^‑2Pa，然后将石墨加热炉内温度提升至100～150℃；（2）继续抽真空，维持炉内气压不变，将溶度为30‑50%硅溶胶溶液从炉内顶部吸入真空炉内，溶液吸入的流量根据炉体尺寸调节，流量为100～1000ml/min，时间为1～5min；（3）在100‑150℃保温1h后将石墨加热炉内温度提升至200‑400℃，升温速率为3～6℃每分钟，保温1～2小时；（4）将石墨加热炉内温度升高至1450～1600℃，升温速率为4～8℃每分钟，保温2～6小时，停止保温，冷却后，加热炉内碳素材料表面具有碳化硅涂层。