发明名称 一种链式单桥自耦升压拓扑
摘要 本发明公开了一种链式单桥自耦升压拓扑电路,由两个功率开关MOS管Q1、Q2,两只电容器C2、C3,一个无耦合高频链式正向升压变压器B,一个次级全桥整流电路D1、D2、D3、D4,一个输出滤波电感L,和一个输出滤波电容C4构成。电容器C2、C3与MOS管Q1、Q2组成半桥。当C2=C3,当某一开关管导通时,变压器B的电压只有电源电压的一半。本发明实现了正向升压电源体积减小75%,输出功率增加了一倍,效率提高10%,效率最高可以达到96%。
申请公布号 CN105515393A 申请公布日期 2016.04.20
申请号 CN201610006039.3 申请日期 2016.01.06
申请人 航天长峰朝阳电源有限公司 发明人 刘建华;高海燕;谢振利
分类号 H02M3/335(2006.01)I 主分类号 H02M3/335(2006.01)I
代理机构 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 代理人 侯蔚寰
主权项 一种链式单桥自耦升压拓扑变换电路,其特征在于:所述电路由两个功率开关MOS管Q1、Q2,两支电容器C2、C3,一个无耦合高频链式正向升压变压器B,一个次级全桥整流电路,一个输出滤波电感L,和一个输出滤波电容C4构成,电容器C2、C3与MOS管Q1、Q2组成半桥,Q1的漏极与C2正极接输入端正极,Q1的源极与Q2的漏极相接接变压器的初级首,C2负极接C3正极接变压器的初级尾,Q2的源极与C3负极接输入端负极,当C2=C3,当某一开关管导通时,变压器B的电压只有电源电压的一半。
地址 122000 辽宁省朝阳市电源路1号