晶片封装体及其形成方法

摘要

本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一第一基底；一第二基底，设置于该第一基底之上，其中该第二基底具有贯穿该第二基底之至少一开口，该至少一开口于该第二基底之中划分出彼此电性绝缘的多个导电区；一第一绝缘层，设置于该第一基底之一侧边之上，且填充于该第二基底之该至少一开口之中；一承载基底，设置于该第二基底之上；一第二绝缘层，设置于该承载基底之一表面及一侧壁之上；以及一导电层，设置于该承载基底上之该第二绝缘层之上，且电性接触其中一所述导电区。本发明可有效缩小多晶片封装结构的体积，且节省制作成本。

主权项

一种晶片封装体，其特征在于，包括：一第一基底，具有一第一开口，该第一开口沿着一预定切割道延伸；一第二基底，设置于该第一基底之上，其中该第二基底具有贯穿该第二基底的至少一第二开口，该至少一第二开口于该第二基底之中划分出彼此电性绝缘的多个导电区，该第一开口露出贯穿该第二基底的该至少一第二开口以及所述导电区；一第一绝缘层，设置于该第一基底的一侧边之上，且填充于该第一开口及该第二基底的该至少一第二开口之中；一承载基底，设置于该第二基底之上；一第二绝缘层，设置于该承载基底的一表面及一侧壁之上；以及一导电层，设置于该承载基底上的该第二绝缘层之上，该导电层自该承载基底的该表面上的该第二绝缘层沿着该承载基底的该侧壁朝该第二基底延伸，并延伸进入该第二基底之中，以电性接触所述导电区中的一导电区。