| 发明名称 | 一种形成HARP层间介质层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种形成HARP层间介质层的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有待填充的间隙；利用含硅前驱物和含氧前驱物通过HARP工艺在所述间隙中沉积第一HARP层间介质层；利用所述含氧前驱物的等离子体处理所述第一HARP层间介质层；多次重复所述步骤S2和S3，直至将所述间隙填满。本发明的形成HARP层间介质层的方法，通过多次沉积HARP层间介质层，并在每次沉积之后用含氧前驱物的等离子体进行处理，使得最终形成的HARP层间介质层更致密、硬度更高，从而使得所述HARP层间介质层在进行后续的CMP平坦化时不会产生凹陷缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN105514021A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201410554779.1 | 申请日期 | 2014.10.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 肖莉红;徐建华;齐金和;周洁鹏 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种形成HARP层间介质层的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有待填充的间隙；步骤S2：利用含硅前驱物和含氧前驱物通过HARP工艺在所述间隙中沉积第一HARP层间介质层；步骤S3：利用所述含氧前驱物的等离子体处理所述第一HARP层间介质层；步骤S4：多次重复所述步骤S2和S3，直至将所述间隙填满。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||