| 发明名称 | 用于FinFET的源极/漏极轮廓 | ||
| 摘要 | 实施例是一种FinFET器件。FinFET器件包括鳍、第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域和沟道区域。鳍凸起在衬底上方。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域位于鳍中。沟道区域横向地位于第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间。沟道区域具有与衬底的顶面既不平行也不垂直的面。本发明提供了用于FinFET的源极/漏极轮廓。 | ||
| 申请公布号 | CN103325831B | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201210587451.0 | 申请日期 | 2012.12.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 马大钧;吴政宪;柯志欣;万幸仁 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种FinFET器件，包括：鳍，凸起在衬底上方；第一源极/漏极区域，位于所述鳍中；第二源极/漏极区域，位于所述鳍中；沟道区域，横向地位于所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间，所述沟道区域具有与所述衬底的顶面既不平行也不垂直的沟道面；以及蚀刻控制部分，位于所述鳍中，所述蚀刻控制部分横向地邻近所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域，其中，所述蚀刻控制部分掺杂有硼。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||