发射极二次镇流及减小发射极集边效应的结构及工艺方法

摘要

本发明是发射极二次镇流及减小发射极集边效应的结构和工艺方法，采用二次镇流技术：有源区外部仍采用离子注入P+（硼）形成的硅体电阻做一次镇流，有源区内部增加一个二次镇流电阻。优点：1）实现了器件的处处镇流，镇流均匀性明显提升；2）降低了芯片中心线处的电流密度，有效地弥补了芯片中心散热差的问题，改善了芯片热场分布的均匀性；3）明显减弱了发射极大电流工作特有的集边效应，提高了器件的电流能力与散热能力；4）采用二次镇流技术还改善了功率管的高低温性能；5）把微波功率晶体管的应用范围从中短脉宽、小占空比、中低工作电压,拓展到了中长脉宽、较大占空比、中高电压，提高了微波功率管的微波性能及可靠性。

主权项

发射极二次镇流及减小发射极集边效应的结构，其特征是采用二次镇流技术：有源区外部仍采用离子注入P+硼形成的硅体电阻做一次镇流，有源区内部增加一个二次镇流电阻。