| 发明名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底；在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层；在第二半导体层上形成器件结构；刻蚀器件两侧的第二半导体层，以形成刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀至少去除器件结构的栅极下的第一半导体层，以形成空腔；在空腔及刻蚀孔中填充介质材料。本发明可以实现通过体衬底实现绝缘体上硅器件，同时，埋氧层的厚度可以通过形成的第一半导体层的厚度来调节，满足不同器件的需求，工艺简单易行。 | ||
| 申请公布号 | CN105489491A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201410478978.9 | 申请日期 | 2014.09.18 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 唐兆云;闫江;徐烨锋;唐波;王红丽;许静;杨萌萌 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;张应 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层，衬底中形成有所述叠层的隔离结构；在第二半导体层上形成器件结构；刻蚀器件两侧的第二半导体层，以形成刻蚀孔；通过刻蚀孔进行腐蚀至少去除器件结构的栅极下的第一半导体层，以形成空腔；在空腔及刻蚀孔中填充介质材料。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||