发明名称 |
通过双图案化和填充技术来形成不同金属材料的平行导线的方法 |
摘要 |
一种集成电路和形成集成电路的方法,该集成电路包括包含表面的第一电介质层、在电介质层的表面中定义的多个第一沟槽、以及多条第一导线,其中,在第一沟槽中的每个沟槽中形成第一导线中的每条导线。该集成电路还包括在电介质层的表面中定义的多个第二沟槽、以及多条第二导线,其中,在第二沟槽中的每个沟槽中形成第二导线中的每条导线。此外,第一导线包括具有第一体电阻率的第一材料,并且第二导线包括具有第二体电阻率的第二材料,其中,第一体电阻率和第二体电阻率不同。 |
申请公布号 |
CN105493244A |
申请公布日期 |
2016.04.13 |
申请号 |
CN201480047259.X |
申请日期 |
2014.09.25 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
J·S·克拉克;A·C·施米茨;R·E·申克尔 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
林金朝;王英 |
主权项 |
一种沉积导线的方法,包括:在电介质层的表面中形成多个第一沟槽;形成多条第一导线,其中,在所述第一沟槽中的每个沟槽中形成所述第一导线中的每条导线,并且所述第一导线由具有第一体电阻率的第一材料形成;在所述电介质层的所述表面中形成多个第二沟槽;形成多条第二导线,其中,在所述第二沟槽中的每个沟槽中形成所述第二导线中的每条导线,并且所述第二导线由具有第二体电阻率的第二材料形成,其中,所述第一体电阻率和所述第二体电阻率不同。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |