| 发明名称 |
低収縮性誘電膜 |
| 摘要 |
誘電体層を基板上に形成する方法が開示され、この方法は、基板処理チャンバの基板処理領域に流体連結された遠隔プラズマ領域に、第１の前駆体を導入することを含み得る。プラズマが遠隔プラズマ領域内で形成され、プラズマ放出物が生成され得る。プラズマ放出物は基板処理領域に案内され得る。少なくとも１つのＳｉ−Ｓｉ結合を含み得るシリコン含有前駆体が、基板処理領域に導入され得る。プラズマ放出物及びシリコン含有前駆体は処理領域内で反応し、基板上に形成されるとはじめは流動的であるシリコンベースの誘電体層を形成し得る。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP2016510507(A) |
申请公布日期 |
2016.04.07 |
| 申请号 |
JP20150555161 |
申请日期 |
2013.12.19 |
| 申请人 |
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ |
发明人 |
ホン， ソグォン;トラン， トゥアン;マリック， アビジート;リャン， チンメイ;イングル， ニティン ケー． |
| 分类号 |
H01L21/318;C23C16/42;C23C16/455;H01L21/31;H01L21/314;H01L21/316 |
主分类号 |
H01L21/318 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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