| 发明名称 | SOI体接触MOS晶体管的测试结构及测试方法 | ||
| 摘要 | 一种SOI体接触MOS晶体管的测试结构，包括：SOI衬底，所述SOI衬底上形成有多个第一类型体接触MOS晶体管，所述SOI衬底上还包含有一个或多个第二类型体接触MOS晶体管，所述第二类型体接触MOS晶体管包含有第一体接触区与第二体接触区，所述第一体接触区与第二体接触区对称分布于所述第二类型体接触MOS晶体管的导电沟道两侧；所述第一类型体接触MOS晶体管与第二类型体接触MOS晶体管的导电沟道具有相同的沟道长度与沟道宽度，且具有相同的导电类型。所述测试结构以较为简便的方法实现了对SOI衬底上MOS晶体管体区电阻的检测。 | ||
| 申请公布号 | CN102543957B | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201110000453.0 | 申请日期 | 2011.01.04 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 李乐 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种SOI体接触MOS晶体管的测试结构，其特征在于，包括：SOI衬底，所述SOI衬底上形成有多个第一类型体接触MOS晶体管，所述SOI衬底上还包含有一个或多个第二类型体接触MOS晶体管，所述第二类型体接触MOS晶体管包含有第一体接触区与第二体接触区，所述第一体接触区与第二体接触区对称分布于所述第二类型体接触MOS晶体管的导电沟道两侧；所述第一类型体接触MOS晶体管与第二类型体接触MOS晶体管的导电沟道具有相同的沟道长度与沟道宽度，且具有相同的导电类型。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||