发明名称 |
一种阵列基板及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种阵列基板及其制备方法。阵列基板包括基板,以及依次形成在基板上的缓冲层、第一遮光图案、钝化层、第一半导体图案、栅极绝缘层、第一栅极图案、层间绝缘层及两个第一源/漏电极图案。其中,设置第一通孔穿过层间绝缘层、栅极绝缘层、第一半导体图案以及钝化层,两个第一源/漏电极图案中的一个通过第一通孔与第一遮光图案电性连接;设置第二通孔穿过层间绝缘层、栅极绝缘层以及第一半导体图案,两个第一源/漏电极图案中的另一个通过第二通孔与第一半导体图案电性连接。通过这种方式,本发明复用第一遮光图案光罩,将第一遮光图案与第一源/漏电极图案相连,以增强薄膜晶体管的驱动能力,提高显示质量。 |
申请公布号 |
CN105470267A |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201610015061.4 |
申请日期 |
2016.01.11 |
申请人 |
武汉华星光电技术有限公司 |
发明人 |
张春倩;王超;薛景峰 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 |
代理人 |
李庆波 |
主权项 |
一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括基板以及依次形成在所述基板上的缓冲层、第一遮光图案、钝化层、第一半导体图案、栅极绝缘层、第一栅极图案、层间绝缘层及两个第一源/漏电极图案;其中,所述阵列基板设置有第一通孔和第二通孔,所述两个第一源/漏电极图案中的一个通过所述第一通孔与所述第一半导体图案和所述第一遮光图案电性连接;所述两个第一源/漏电极图案中的另一个通过所述第二通孔与所述第一半导体图案电性连接,且与所述第一遮光图案保持电性绝缘。 |
地址 |
430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 |