半導体ウェハをプラズマ・ダイシングするための方法及び装置

摘要

本発明は、基板をプラズマ・ダイシングするための方法を提供し、方法は、壁を有する処理チャンバを提供するステップと、処理チャンバの壁に隣接してプラズマ源を提供するステップと、処理チャンバ内に加工物支持体を提供するステップと、支持膜、フレーム、及び基板を有する加工物を加工物支持体上に置くステップと、加工物を加工物支持体上に搭載するステップと、張力を支持膜に加えるステップと、加工物を加工物支持体に対して圧締めするステップと、プラズマ源を使用してプラズマを発生させるステップと、発生したプラズマを使用して加工物をエッチングするステップとを含む。