摘要 |
Verfahren zur Spannungsregelung einer Halbleiterschaltung, wobei zur Spannungsregelung mehrere Mikroschalter (1) der Halbleiterschaltung verwendet werden, wobei eine erste Leitung (11) mit einer zweiten Leitung (12) über die Mikroschalter (1) verbunden wird, wobei eine Spannung (Ur) zwischen der zweiten Leitung (12) und einer dritten Leitung (13) auf eine Sollspannung (Uref) eingestellt wird, indem eine der Sollspannung (Uref) entsprechende Menge der Mikroschalter (1) eingeschaltet wird, wodurch eine Spannung zwischen der ersten Leitung (11) und der zweiten Leitung (12) und damit die Spannung (Ur) zwischen der zweiten Leitung (12) und der dritten Leitung (13) eingestellt wird, wobei eine Spannungsdomäne (10) der Halbleiterschaltung über die zweite Leitung (12) und die dritte Leitung (13) mit Spannung versorgt wird, und wobei die erste Leitung (11) ein erstes Potenzial (VDD) und die dritte Leitung (13) ein zweites Potenzial (VSS) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass ein Mikroschalter (1) ein im Standardzellendesign entworfener Schalter ist. |