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Die vorliegende Erfindung ist ein Silizium-Wafer-Wärmebehandlungsverfahren, das beinhaltet: Platzieren eines Silizium-Wafers auf einer SiC-Haltevorrichtung und Einbringen des Silizium-Wafers in einen Wärmebehandlungsofen; Ausführen von Wärmebehandlung an dem Silizium-Wafer in dem Wärmebehandlungsofen in einer ersten nichtoxidierenden Atmosphäre; Reduzieren der Temperatur auf eine Temperatur, bei der der Silizium-Wafer aus dem Wärmebehandlungsofen entnommen werden kann; und Entnehmen des Silizium-Wafers aus dem Wärmebehandlungsofen, wobei in dem Wärmereduzierungsschritt, nachdem die Temperatur auf die Temperatur reduziert wird, bei der der Silizium-Wafer aus dem Wärmebehandlungsofen entnommen werden kann, die erste nichtoxidierende Atmosphäre in eine sauerstoffhaltige Atmosphäre geändert wird, ein Oxidfilm mit einer Dicke von 1 bis 10 nm auf der Oberfläche der SiC-Haltevorrichtung in der sauerstoffhaltigen Atmosphäre gebildet wird und die sauerstoffhaltige Atmosphäre dann in eine zweite nichtoxidierende Atmosphäre geändert wird. Infolgedessen wird ein Silizium-Wafer-Wärmebehandlungsverfahren bereitgestellt, das Kohlenstoffverunreinigung von einer SiC-Haltevorrichtung und einer Umgebung während eines Wärmebehandlungsvorgangs verhindern kann. |
