| 发明名称 | 一种电可擦除只读存储器以及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电可擦除只读存储器以及制作方法，用以提高电可擦除只读存储器的性能。该制作方法包括：在嵌入了源极和漏极的基板上覆盖第一悬浮栅氧化层；通过构图工艺在所述第一悬浮栅氧化层上形成悬浮栅极，其中，所述悬浮栅极的顶层覆盖有保护层；在覆盖有保护层的所述悬浮栅极的侧壁生长第二悬浮栅氧化层；除去所述悬浮栅极顶层覆盖的保护层，并在所述悬浮栅极的顶层生长第三悬浮栅氧化层；在所述第三悬浮栅氧化层上形成控制栅极，完成电可擦除只读存储器。 | ||
| 申请公布号 | CN103000526B | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201110274002.6 | 申请日期 | 2011.09.15 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 叶文正;翟彪 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种制作电可擦除只读存储器的方法，其特征在于，包括：在嵌入了源极和漏极的基板上覆盖第一悬浮栅氧化层；通过构图工艺在所述第一悬浮栅氧化层上形成悬浮栅极，其中，所述悬浮栅极的顶层覆盖有保护层；在覆盖有保护层的所述悬浮栅极的侧壁生长第二悬浮栅氧化层；除去所述悬浮栅极顶层覆盖的保护层，并在所述悬浮栅极的顶层生长第三悬浮栅氧化层；在所述第三悬浮栅氧化层上形成控制栅极，完成电可擦除只读存储器；其中，所述第三悬浮栅氧化层的厚度小于所述第二悬浮栅氧化层的厚度。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||