含有超晶格层的LED结构外延生长方法及其结构

摘要

本发明提供了一种含有超晶格层的LED结构外延生长方法及其结构，在生长发光层步骤与生长P型AlGaN层步骤之间，包括生长InN/GaN超晶格层的步骤：在温度为740-770℃、100mbar到800mbar压力的反应室内，采用H₂和/或N₂作为载气，生长InN/GaN超晶格层，每层InN厚度为1-2nm，每层GaN厚度为1-2nm；InN/GaN超晶格层的周期数为10-15层，总厚度为20-30nm。本发明在传统的发光层量子阱层和电子阻挡层（AlGaN：Mg）之间插入InN/GaN超晶格层，利用InN的晶格系数从GaN顺利过渡到AlGaN，减小应力，增加量子阱的空穴浓度，提高发光效率。

主权项

一种含有超晶格层的LED结构外延生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长不掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长发光层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层步骤，其特征在于，在生长发光层MQW步骤与生长P型AlGaN层步骤之间，包括生长InN/GaN超晶格层的步骤：在温度为740‑770℃、100mbar到800mbar压力的反应室内，采用H₂和/或N₂作为载气，生长InN/GaN超晶格层，每层InN厚度为1‑2nm，每层GaN厚度为1‑2nm；所述InN/GaN超晶格层的周期数为10‑15，总厚度为20‑30nm。